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IRF640N/S/L
2500
2000
1500
VGS = 0V,  f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
20
16
12
I D = 11A
V DS = 160V
V DS = 100V
V DS = 40V
1000
500
Coss
Crss
8
4
0
1
10            100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1000
0
0
20         40         60
Q G , Total Gate Charge (nC)
80
100
10
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 175 ° C
1000
100
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
T J = 25 ° C
10
100us
1ms
1
1
10ms
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS = 0 V
1.4
1.6
T C = 25 °C
T J = 175 °C
Single Pulse
0.1
0.1         1
10
100
1000
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
www.irf.com
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
4
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